| 牌号 | GaAs-CZ-N(Te)-<100> |
|---|---|
| 對應标準 | GB T 30856-2014
LED外延芯片用砷化镓襯底 GaAs substrates for LED epitaxial chips |
| 歸類 | 非金屬材料 |
| 标簽 | 直拉砷化镓單晶襯底 |
| 說明 | ◎ 該牌号是砷化镓GaAs單晶襯底的牌号。牌号由四部分組成，中間用“-”隔開。 • 示例：GaAs-LEC-P(Zn)-<100>， • 牌号中GaAs為第一項用分子式表示單晶的名稱； • 牌号第二項表示單晶的生產方法，LEC為液封直拉法； • 牌号第三項用N或P表示導電類型，括号内符号表示摻雜劑，液封直拉(LES)砷化镓單晶有不同摻雜濃度的P型（一般摻雜Zn）、N型（一般摻雜Te）、半絕緣I型（非摻雜或摻Cr）材料。 • 牌号第四項為用密勒指數表示晶向，示例牌号中<100> • LEC GaAs單晶制備工藝特點是生長速度較快，易于直接拉制出所需晶向的圓柱形單晶，其位錯密度一般為104個/平方厘米 ◎ 砷化镓襯底牌号的表示按GB/T 14844。 ◎ 本标準适用于LED外延芯片用的砷化镓單晶襯底。 |
-
電學性能
序号 項目 要求 n p 1 電阻率/(Ω·cm) 0.01～1×10-3 0.1～3×10-3 2 遷移率/[cm2/(V·s)] ≥1 000 ≥40 3 載流子濃度/cm-3 1×1017～4×1018 5×1017～5×1019 -
位錯密度；取向、形狀和尺寸及允許偏差
表2-位錯密度 項目 要求 Φ50.8mm Φ76.2mm Φ100mm Φ150mm 位錯密度/(個/cm2) ≤2×103 ≤4×103 ≤5×103 ≤1×104 注：當客戶對晶體位錯密度參數和位錯類型及分布有特殊要求時，由供需雙方在合同中确定。 表3-表面晶向和晶向偏離 砷化镓襯底的表面晶向為<100>，晶向偏離不大于0.5°（當客戶對晶向參數有特殊要求時，由供需雙方在合同中确定。） 表4-Φ50.8mm、Φ76.2mm、Φ100mm砷化镓襯底參考面的取向、形狀和尺寸
參數項目 要求 參考面選擇 V型槽 燕尾槽 主參考面取向 [011]±0.5°屬于1個砷面，
主參考面垂直于V型槽
[011]±0.5°屬于1個镓面，
主參考面垂直于燕尾槽
副參考面取向 從主參考面逆時針轉90°±5° 從主參考面順時針轉90°±5° 規格 Φ50.8mm(Φ2'') Φ76.2mm(Φ3'') Φ100mm(Φ4'') - 主參考面長度 16mm±1mm 22mm±1mm 32mm±1mm - 副參考面長度 8mm±1mm 11mm±1mm 18mm±1mm - 表5-Φ160mm(Φ6'')砷化镓襯底參考面的取向、形狀和尺寸 項目 要求 參考面切口位置取向、
形狀和尺寸
取向 深度/mm 開角/(°C) - [010]±2° 1（+0.25，0）*
90（-3，-1）* - *（）上下偏差 表6-外形尺寸 項目 要求 Φ50.8mm(Φ2'') Φ76.2mm(Φ3'') Φ100mm(Φ4'') Φ150mm(Φ6'') 直徑及允許偏差/mm 50.8±0.2 76.2±0.2 100±0.2 150±0.2 厚度及允許偏差/μm (280~500)±15 (400~600)±20 (400~650)±25 (400~700)±25 總厚度變化 TTV/μm ≤12 ≤15 ≤18 ≤20 平整度 TIR/μm ≤6 ≤8 ≤10 ≤10 翹曲度 Warp/μm ≤12 ≤15 ≤20 ≤25 注：客戶對外形幾何尺寸有其他特殊要求時，雙方協議後在合同中簽訂。
注：數據僅供參考！如有疑問，請填寫"我要糾錯"！