| 牌号 | GaAs-HB-N(Si)-<111> |
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| 對應标準 | GB T 30856-2014
LED外延芯片用砷化镓襯底 GaAs substrates for LED epitaxial chips |
| 歸類 | 非金屬材料 |
| 标簽 | 水平砷化镓單晶襯底 |
| 說明 | ◎ 該牌号是砷化镓GaAs單晶襯底的牌号。牌号由四部分組成，中間用“-”隔開。 • 示例：GaAs-HB-N(Si)-<111>， • 牌号中GaAs為第一項用分子式表示單晶的名稱； • 牌号第二項表示單晶的生產方法，HB為水平法； • 牌号第三項用N或P表示導電類型，括号内符号表示摻雜劑，水平(HB)法砷化镓單晶摻入Fe，Si，Zn，Cr，O等雜質易于生長各種規格摻雜GaAs和半絕緣單晶。 • 牌号第四項為用密勒指數表示晶向，示例牌号中<111> • HB GaAs單晶制備工藝特點是生長設備較簡單，具有三個（或多個）溫區的卧式爐和相應的機械傳動裝置及溫控系統。高純As和盛Ga舟密封于石英反應管兩端，通過As端（約610°C，此時As的蒸汽壓約0.1MPa）溫度控制，保持反應管内一定的As壓與高溫區（1245~1260°C）中Ga合成并在一定溫度梯度下生長單晶，在高、低溫區之間有一個或幾個中溫區有利于降低系統中的溫度梯度并可抑制Si的沾污。水平單晶比LEC單晶位錯密度一般低0.5~1個數量級，摻Si水平GaAs中位錯密度可＜102個/平方厘米。生長過程中As壓易于控制單晶化學配比可控性較好。摻入Fe,Si,Zn,Cr,O等雜質易于生長各種規格摻雜GaAs和半絕緣單晶。作為襯底廣泛用于發光器件、激光器、太陽電池、光陰極、微波器件、霍耳器件、根氏器件等。該種單晶生長方向一般為〈111〉，切成(100)晶片呈D形，需加工成圓形片而造成一定損失。石英舟不能完全防止Si沾污，故難以生長非摻雜半絕緣單晶。 ◎ 砷化镓襯底牌号的表示按GB/T 14844。 ◎ 本标準适用于LED外延芯片用的砷化镓單晶襯底。 |
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