| 牌号 | GaN-SI-BP04 |
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| 對應标準 | SJ 21442-2018
GaN-SI 型半絕緣氮化镓單晶片規範 Specification for Semi-Insulating Gallium Nitride Monocrystalline Wafers of Gan-Si |
| 歸類 | 非金屬材料 |
| 标簽 | 半導體材料 |
| 說明 | ◎ 氮化镓（GaN）單晶片是一種半導體材料，以下是關于氮化镓單晶片的相關信息： • 特性 寬禁帶半導體：氮化镓是一種寬禁帶直接帶隙半導體，這使得它在高電壓、高頻和高溫應用中具有顯著優勢。 高電子遷移率：氮化镓具有高電子遷移率，其在二維電子氣（2DEG）區域的電子遷移率可達1500-2000 cm²/V·s。 高熱導率和低導通電阻：氮化镓的熱導率高，導通電阻低，适合用于高效功率器件。 機械穩定性：氮化镓單晶片具有良好的機械穩定性，适合用于各種極端環境。 • 應用 光電器件：氮化镓是制造高亮度LED、藍光激光二極管和紫外光電器件的核心材料。 高頻和功率器件：氮化镓在高頻通信和功率電子領域表現出色，可用于5G通信、新能源汽車（車載充電器、DC-DC轉換器）和高效電源管理。 新能源領域：氮化镓還被用于太陽能電池和水分解裝置（GaN基材料用于光催化制氫處于研究階段，尚未大規模商用）。 • 制備技術 氮化镓單晶片通常通過外延生長技術制備，如氫化物氣相外延（HVPE）。此外，新的制造技術如超臨界酸性氨熱技術（SCAAT）也在開發中，以實現高質量、低缺陷和低成本的氮化镓單晶片。 • 總之，氮化镓單晶片是一種重要的半導體材料，具有優異的物理和電學特性，廣泛應用于光電器件和功率電子領域。(以上内容僅供參考) ◎ GaN-SI-BP04是氮化镓單晶片的型号之一。 ◎ 型号說明：GaN-氮化镓單晶材料；SI-導電類型為半絕緣；BP-雙面抛光；02-晶片直徑為50.8mm，03直徑為76.2mm，04直徑為100mm |
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氮化镓單晶片外形尺寸
型号 直徑(公差)
mm
厚度a
μm
總厚度變化
μm
彎曲度
μm
主參考面取向 主參考面長度
mm
副參考面
取向
副參考面長度
mm
GaN-SI-BP04 100.0(+0.2，-0.5)
550±40 ≤35 ≤40 <1100>±0.5° 32.0±2.0 主參考面順時
針轉90°±3°
18.0±2.0 a 除另有要求外，晶片厚度按照表中參數執行。 -
其他技術參數
表面質量 晶向 表面粗糙度 電阻率 X射線衍射
(XRD)搖擺
曲線半高寬
位錯密度 表面矽雜質濃度 雙面抛光，镓面
無裂紋、劃傷、
沾污、崩邊，宏
觀缺陷≤2個/cm2
<0001>偏向
M軸0.35°±0.15°，
M軸<1100>
Ra≤0.5nm ≥1×106 Ω·cm • 單晶片(0002)面X射線衍射(XRD)
搖擺曲線半高寬≤120弧秒
• 單晶片(1012)X射線衍射(XRD)
搖擺曲線半高寬≤120弧秒
≤5×106/cm2 ≤5×1017/cm3
注：數據僅供參考！如有疑問，請填寫"我要糾錯"！